买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR09030EF 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

AGR09030EF

库存数量:可订货
制造商:TriQuint Semiconductor
描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
AGR09030EF PDF下载
制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 865 MHz to 895 MHz
增益 21 dB
输出功率 40 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 4.25 A
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 9030EF
封装
相关资料
供应商
  • AGR09030EF 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
  • AGR09030EF 相关型号
  • AGR09045EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR09045EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
    AGR09045WEF
    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
    AGR09070EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
    AGR09085EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
    AGR09090EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
    AGR09130EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR09180EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
    AGR18030EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
    AGR18045EF
    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor